合肥长鑫：已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

在9月19日开幕的中国闪存技术峰会，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲，指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。

在这个名为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲中，平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面临的技术挑战等问题，其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。

长鑫的技术来源已经不是秘密，此前在GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的DRAM内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。

奇梦达已经破产多年，他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平，平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别。

不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的10nm级别到底是什么水平，理论上20nm之后的都可以叫做10nm级，但三星是在20nm、18nm之后发展了1Xnm、1Ynm、1Znm，从1Xnm工艺才开始称作10nm级内存。

结合之前的报道，长鑫公司今年底会量产19nm工艺、8Gb核心的DDR4内存芯片，不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的10nm级内存。

不论是19nm还是其他工艺的内存，总体来说国内公司如果能在年底量产10nm级别的内存，起点还是非常高的，与国际先进水平的差距也就2-3年的样子，这个水平相比其他芯片的差距就小太多了。

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宪瑞

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